制造商型号： | UF3C065080B3 |
制造商： | SiC (碳化硅（SiC）功率半导体制造商) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET 650V 25A TO263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) UF3C065080B3
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UF3C065080B3 中文资料
数据手册PDF
UF3C065080B3 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.163 g
库存： 50
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 95.264942 | 95.26 |
| 10 | 86.07206 | 860.72 |
| 25 | 82.068709 | 2051.72 |
| 100 | 68.056979 | 6805.70 |
| 250 | 64.053626 | 16013.41 |
品牌其他型号
UF3C065080B3品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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