制造商型号： | DMC3016LDV-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMC3016LDV-7
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DMC3016LDV-7 中文资料
数据手册PDF
DMC3016LDV-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 21 A, 15 A
漏源电阻 12 mOhms, 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V, 2.4 V
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 144 g
品牌其他型号
DMC3016LDV-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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