制造商型号： | IPG20N06S4L11ATMA2 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET_)40V 60V) |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPG20N06S4L11ATMA2
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IPG20N06S4L11ATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPG20N06S4L11ATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 15.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 19 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S4L-11 SP001404020
IPG20N06S4L11ATMA2 同类别型号
库存： 39150
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | 9.127169 | 45635.85 |
| 10000 | 8.825023 | 88250.23 |
