制造商型号： | SQJ992EP-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ992EP-T1_GE3
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SQJ992EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ992EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 47 mOhms, 47 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导（Min） 11 S, 11 S
上升时间 6 ns, 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 3.727122 | 11181.37 |
| 6000 | 3.38826 | 20329.56 |
| 15000 | 3.231879 | 48478.19 |
