制造商型号: | ZXMN3A04DN8TC |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMN3A04DN8TC
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ZXMN3A04DN8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3A04DN8TC 规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXMN3A04DN8TC
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20mOhm @ 12.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
36.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1890pF @ 15V
功率 - 最大值
1.81W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO