制造商型号： | ZXMN2A04DN8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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DIODES(美台) ZXMN2A04DN8TC
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ZXMN2A04DN8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMN2A04DN8TC 规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXMN2A04DN8TC
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA (Min)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1880pF @ 10V
功率 - 最大值
1.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
品牌其他型号
ZXMN2A04DN8TC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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