制造商型号： | QS8M51TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) QS8M51TR
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QS8M51TR 中文资料
数据手册PDF
QS8M51TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2 A, 1.5 A
漏源电阻 325 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 4.7 nC, 17 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M51
单位重量 10 mg
库存： 18000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.978732 | 16.98 |
| 10 | 15.201624 | 152.02 |
| 100 | 11.855682 | 1185.57 |
| 500 | 9.794012 | 4897.01 |
| 1000 | 7.732115 | 7732.12 |
