制造商型号: | FGB20N60SF |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 600V 40A 208W D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FGB20N60SF
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FGB20N60SF 中文资料
数据手册PDF
FGB20N60SF 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 208 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 1.312 g
库存: 1515
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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FGB20N60SF品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-IGBT
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