制造商型号： | HGT1S10N120BNST |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) HGT1S10N120BNST
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HGT1S10N120BNST 中文资料
数据手册PDF
HGT1S10N120BNST 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 298 W
集电极连续电流 55 A
集电极连续电流（Max） 35 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 1.312 g
HGT1S10N120BNST 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥34.432848 总价：￥34.43 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 34.432848 | 34.43 |
| 10 | 30.900949 | 309.01 |
| 100 | 25.320803 | 2532.08 |
