制造商型号： | SH8M24GZETB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) SH8M24GZETB
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SH8M24GZETB 中文资料
数据手册PDF
SH8M24GZETB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 46 mOhms, 63 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC, 13 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 14 ns
上升时间 18 ns, 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns, 70 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M24
单位重量 83 mg
库存： 2428
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.468066 | 13.47 |
| 10 | 12.059479 | 120.59 |
| 25 | 11.451563 | 286.29 |
| 100 | 8.588672 | 858.87 |
| 250 | 8.506874 | 2126.72 |
| 500 | 7.279921 | 3639.96 |
| 1000 | 5.930274 | 5930.27 |
品牌其他型号
SH8M24GZETB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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