制造商型号: | DMT3020LSDQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 8V~24V SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMT3020LSDQ-13
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DMT3020LSDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMT3020LSDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns
上升时间 1.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 5000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 2.679156 | 6697.89 |
5000 | 2.419927 | 12099.64 |
12500 | 2.247067 | 28088.34 |
25000 | 2.195172 | 54879.30 |
62500 | 2.125978 | 132873.63 |
125000 | 2.074206 | 259275.75 |