制造商型号: | IRF1010EPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRF1010EPBF
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IRF1010EPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF1010EPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1010EPBF SP001569818
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.941316 | 11.94 |
10 | 10.661378 | 106.61 |
100 | 8.310298 | 831.03 |
500 | 6.865184 | 3432.59 |
1000 | 6.022142 | 6022.14 |
品牌其他型号
IRF1010EPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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