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IRF1010EPBF

IRF1010EPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRF1010EPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 84.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 12 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

产品系列 IRF1010E

阈值电压 4 V

输入电容 3210pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 84.0 A

上升时间 78.0 ns

输入电容Ciss 3210pF @25VVds

额定功率Max 200 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF1010EPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF1010EPBF International Rectifier 国际整流器 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新 搜索库存
替代型号IRF1010EPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF1010EPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220AB N-Channel 60V 84A 12mohms

当前型号

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新

当前型号

型号: STP60NF06L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRF1010EPBF和STP60NF06L的区别

型号: IRFZ14PBF

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

IRF1010EPBF和IRFZ14PBF的区别

型号: PHP52N06T,127

品牌: 恩智浦

封装: TO-220AB N-CH 60V 52A

功能相似

TO-220AB N-CH 60V 52A

IRF1010EPBF和PHP52N06T,127的区别