额定电压DC 60.0 V
额定电流 84.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 12 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF1010E
阈值电压 4 V
输入电容 3210pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 84.0 A
上升时间 78.0 ns
输入电容Ciss 3210pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF1010EPBF | International Rectifier 国际整流器 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF1010EPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220AB N-Channel 60V 84A 12mohms | 当前型号 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新 | 当前型号 | |
型号: STP60NF06L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF1010EPBF和STP60NF06L的区别 | |
型号: IRFZ14PBF 品牌: 威世 封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRF1010EPBF和IRFZ14PBF的区别 | |
型号: PHP52N06T,127 品牌: 恩智浦 封装: TO-220AB N-CH 60V 52A | 功能相似 | TO-220AB N-CH 60V 52A | IRF1010EPBF和PHP52N06T,127的区别 |