IRF1010EPBF

INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010EPBF, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

立创商城:
N沟道 60V 81A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 12 Milliohms; ID 84A; TO-220AB; PD 200W; gFS 69S

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 84 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB