制造商型号: | UT6K3TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) UT6K3TCR
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UT6K3TCR 中文资料
数据手册PDF
UT6K3TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 30 mOhms, 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.1 ns, 5.1 ns
正向跨导(Min) 2.3 S, 2.3 S
上升时间 5.8 ns, 5.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 7.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 UT6K3
单位重量 771.020 mg
库存: 6784
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.220932 | 9.22 |
10 | 7.97486 | 79.75 |
100 | 5.521345 | 552.13 |
500 | 4.613706 | 2306.85 |
1000 | 3.926622 | 3926.62 |
品牌其他型号
UT6K3TCR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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