制造商型号： | ZXMN6A25DN8TA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN6A25DN8TA
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ZXMN6A25DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN6A25DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥16.258108 总价：￥16.26 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.258108 | 16.26 |
| 10 | 14.496812 | 144.97 |
| 100 | 11.302772 | 1130.28 |
品牌其他型号
ZXMN6A25DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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