制造商型号: | QS6J11TR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) QS6J11TR
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QS6J11TR 中文资料
数据手册PDF
QS6J11TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS6J11
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.650184 | 4950.55 |
6000 | 1.563362 | 9380.17 |
9000 | 1.447552 | 13027.97 |
30000 | 1.433203 | 42996.09 |