制造商型号： | RQ3E180GNTB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RQ3E180GNTB
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RQ3E180GNTB 中文资料
数据手册PDF
RQ3E180GNTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 4.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.2 ns
正向跨导（Min） 17 S
上升时间 6.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56.8 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E180GN
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.031414 总价：￥8.03 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.031414 | 8.03 |
| 10 | 7.042932 | 70.43 |
| 100 | 5.398345 | 539.83 |
| 500 | 4.267769 | 2133.88 |
| 1000 | 3.414214 | 3414.21 |
品牌其他型号
RQ3E180GNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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