RQ3E180GNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 18A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 39 A, 0.0033 ohm, HSMT, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

安富利:
4.5V DRIVE NCH MOSFET, HSMT8, NCH, DISCRETE

RQ3E180GNTB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 6.9 ns

输入电容Ciss 1520pF @15VVds

下降时间 10.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSMT-8

外形尺寸

封装 HSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

香港进出口证 NLR

RQ3E180GNTB引脚图与封装图

RQ3E180GNTB引脚图

RQ3E180GNTB封装图

RQ3E180GNTB封装焊盘图

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RQ3E180GNTB	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V	搜索库存