制造商型号: | CMLDM3757 TR PBFREE |
制造商: | CENTRAL (美国中央) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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CENTRAL(美国中央) CMLDM3757 TR PBFREE
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CMLDM3757 TR PBFREE 中文资料
数据手册PDF
CMLDM3757 TR PBFREE 规格参数
关键信息
制造商 Central Semiconductor
商标 Central Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA, 430 mA
漏源电阻 550 mOhms, 900 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 1.58 nC, 1.2 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
CMLDM3757 TR PBFREE 同类别型号
库存: 6424
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.548693 | 6.55 |
10 | 5.560211 | 55.60 |
25 | 5.18953 | 129.74 |
100 | 3.855079 | 385.51 |
250 | 3.662326 | 915.58 |
500 | 3.009928 | 1504.96 |
1000 | 2.446493 | 2446.49 |