制造商型号: | DMC1229UFDB-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMC1229UFDB-7
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DMC1229UFDB-7 中文资料
数据手册PDF
DMC1229UFDB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.8 A, 5.6 A
漏源电阻 29 mOhms, 61 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC, 10.7 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns, 26.4 ns
正向跨导(Min) 5.5 S, 6.5 S
上升时间 10.5 ns, 11.5 ns
典型关闭延迟时间 16.6 ns, 27.8 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥6.441838 总价:¥6.44 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.441838 | 6.44 |
10 | 5.469485 | 54.69 |
100 | 4.080235 | 408.02 |
500 | 3.206092 | 1603.05 |
1000 | 2.477435 | 2477.43 |
品牌其他型号
DMC1229UFDB-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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