制造商型号： | ZXMHC6A07N8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMHC6A07N8TC
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ZXMHC6A07N8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC6A07N8TC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.8 A, 1.42 A
漏源电阻 250 mOhms, 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 5.7 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2 ns, 5.8 ns
正向跨导（Min） 2.3 S, 1.8 S
上升时间 1.4 ns, 2.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.9 ns, 13 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 33461
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.29572 | 13.30 |
| 10 | 10.877166 | 108.77 |
| 100 | 8.459879 | 845.99 |
| 500 | 7.170826 | 3585.41 |
| 1000 | 5.841508 | 5841.51 |
品牌其他型号
ZXMHC6A07N8TC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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