制造商型号: | CJ3139KDW-G |
制造商: | COMCHIP (台湾典琦科技股份) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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COMCHIP(台湾典琦科技股份) CJ3139KDW-G
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CJ3139KDW-G 中文资料
数据手册PDF
CJ3139KDW-G 规格参数
关键信息
制造商 Comchip Technology
商标 Comchip Technology
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 660 mA
漏源电阻 520 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20.3 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 5.8 ns
典型关闭延迟时间 32.7 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存: 8234
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.984288 | 4.98 |
10 | 4.286488 | 42.86 |
100 | 2.978113 | 297.81 |
500 | 2.324921 | 1162.46 |
1000 | 1.889668 | 1889.67 |
品牌其他型号
CJ3139KDW-G品牌厂家:COMCHIP
,所属分类: 射频晶体管
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