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CJ3139KDW-G

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Comchip Technology 上华科技 主动器件

2个P沟道 20V 660A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 660mA Ta 150mW Surface Mount SOT-363


立创商城:
2个P沟道 20V 660A


得捷:
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363


贸泽:
MOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.66A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.66A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363


CJ3139KDW-G中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 520 mΩ

耗散功率 0.15 W

阈值电压 0.35 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 170pF @16VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 20.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CJ3139KDW-G引脚图与封装图
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