制造商型号： | SSM6N35FE,LM |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM6N35FE,LM
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SSM6N35FE,LM 中文资料
数据手册PDF
SSM6N35FE,LM 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 20 Ohms, 20 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
库存： 3450
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.286408 | 5.29 |
| 10 | 3.686199 | 36.86 |
| 100 | 1.861673 | 186.17 |
| 500 | 1.519058 | 759.53 |
| 1000 | 1.127148 | 1127.15 |
| 2000 | 0.948268 | 1896.54 |
品牌其他型号
SSM6N35FE,LM品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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