SSM6N35FE,LM

Toshiba(东芝) 分立器件

ES N-CH 20V 0.18A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6 1.6x1.6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

贸泽:
MOSFET Small Signal MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

SSM6N35FE,LM中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.18A

输入电容Ciss 9.5pF @3VVds

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 ES-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 ES-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6N35FE,LM引脚图与封装图

SSM6N35FE,LM引脚图

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