制造商型号： | DMHC3025LSD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMHC3025LSD-13
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DMHC3025LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMHC3025LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 4.2 A
漏源电阻 25 mOhms, 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.7 nC, 11.4 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 8.7 ns, 13.5 ns
上升时间 15 ns, 4.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.5 ns, 28.2 ns
典型接通延迟时间 11.2 ns, 7.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 68094
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.00384 | 13.00 |
| 10 | 11.259796 | 112.60 |
| 100 | 7.793125 | 779.31 |
| 500 | 6.511099 | 3255.55 |
| 1000 | 5.54132 | 5541.32 |
品牌其他型号
DMHC3025LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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