制造商型号： | SSM6P49NU,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) SSM6P49NU,LF
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SSM6P49NU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6P49NU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 157 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.852799 | 2558.40 |
| 6000 | 0.77027 | 4621.62 |
| 15000 | 0.71525 | 10728.75 |
| 30000 | 0.698744 | 20962.32 |
| 75000 | 0.676737 | 50755.28 |
