制造商型号: | CSD22206WT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD22206WT
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CSD22206WT 中文资料
数据手册PDF
CSD22206WT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 118 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
CSD22206WT 引脚图与封装图
CSD22206WT引脚图
CSD22206WT封装图
CSD22206WT封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
250 | 6.489187 | 1622.30 |
500 | 5.734627 | 2867.31 |
1250 | 4.52736 | 5659.20 |
2500 | 4.225507 | 10563.77 |
6250 | 4.014253 | 25089.08 |
品牌其他型号
CSD22206WT品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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