制造商型号： | CE3512K2 |
制造商： | CEL |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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CEL CE3512K2
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CE3512K2 中文资料
数据手册PDF
CE3512K2 规格参数
关键信息
制造商 CEL
商标 CEL
技术类参数
晶体管类型 pHEMT
技术 GaAs
漏源击穿电压 4 V
漏极电流 10 mA
耗散功率 125 mW
正向跨导（Min） 54
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
单位重量 16.473 mg
库存： 67
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.174867 | 17.17 |
| 10 | 15.30911 | 153.09 |
| 25 | 14.530681 | 363.27 |
| 100 | 11.935916 | 1193.59 |
| 250 | 11.157486 | 2789.37 |
| 500 | 9.860106 | 4930.05 |
| 1000 | 7.784293 | 7784.29 |
品牌其他型号
CE3512K2品牌厂家：CEL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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