制造商型号： | QS6K1TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) QS6K1TR
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QS6K1TR 中文资料
数据手册PDF
QS6K1TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6K1
库存： 9930
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.429808 | 9.43 |
| 10 | 8.115351 | 81.15 |
| 100 | 5.616452 | 561.65 |
| 500 | 4.693473 | 2346.74 |
| 1000 | 3.994383 | 3994.38 |
