制造商型号: | US6K4TR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) US6K4TR
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US6K4TR 中文资料
数据手册PDF
US6K4TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 1.6 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6K4
单位重量 7.500 mg
库存: 2872
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.476431 | 7.48 |
10 | 6.467114 | 64.67 |
100 | 4.474645 | 447.46 |
500 | 3.738466 | 1869.23 |
1000 | 3.181596 | 3181.60 |
品牌其他型号
US6K4TR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 射频晶体管
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