制造商型号： | US6K4TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ROHM(罗姆) US6K4TR
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US6K4TR 中文资料
数据手册PDF
US6K4TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 1.6 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6K4
单位重量 7.500 mg
US6K4TR 引脚图与封装图
US6K4TR引脚图
US6K4TR封装图
US6K4TR封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.650779 | 4952.34 |
| 6000 | 1.552457 | 9314.74 |
品牌其他型号
US6K4TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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