制造商型号： | DMN3018SSD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN3018SSD-13
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DMN3018SSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3018SSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 1.479915 | 3699.79 |
| 5000 | 1.384396 | 6921.98 |
品牌其他型号
DMN3018SSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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