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DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双 N-沟道 30 V 30 mOhm 6 nC 1.5 W 硅 表面贴装 Mosfet - SOIC-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6.7A 1.5W Surface Mount 8-SO


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2个N沟道 30V 6.7A


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DMN3018SSD-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.5 W

输入电容 697 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.7A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 697pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.95 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3018SSD-13引脚图与封装图
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