制造商型号: |  NTMS4107NR2G | 
制造商: |  ON (安森美) | 
产品类别: |  晶体管-FET,MOSFET-单个 | 
商品描述: |  MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | 
供货: |  货期 工作日(7-10天) | 
渠道: |    digikey     | 
服务: |  锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 | 
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ON(安森美) NTMS4107NR2G
 
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NTMS4107NR2G 中文资料
数据手册PDF
 NTMS4107NR2G 规格参数
属性
 参数值
制造商型号
 NTMS4107NR2G
制造商
 ON(安森美)
商品描述
 MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
包装
 Cut Tape (CT)
系列
 -
零件状态
 Obsolete
FET 类型
 N-Channel
技术
 MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
 11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
 4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
 4.5mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
 45nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
 ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
 6000pF @ 15V
FET 功能
 -
功率耗散(最大值)
 930mW (Ta)
工作温度
 -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
 Surface Mount
供应商器件封装
 8-SOIC
封装/外壳
 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
品牌其他型号
    NTMS4107NR2G品牌厂家:ON
     ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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