制造商型号： | SQD10N30-330H_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SQD10N30-330H_GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SQD10N30-330H_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SQD10N30-330H_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQD10N30-330H_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 275 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 26 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | 4.702917 | 9405.83 |
| 6000 | 4.478949 | 26873.69 |
| 10000 | 4.272208 | 42722.08 |
品牌其他型号
SQD10N30-330H_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQD10N30-330H_GE3、查询SQD10N30-330H_GE3代理商； SQD10N30-330H_GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SQD10N30-330H_GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SQD10N30-330H_GE3替代型号
、
SQD10N30-330H_GE3数据手册PDF。