制造商型号: | IRF7779L2TRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRF7779L2TRPBF
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IRF7779L2TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF7779L2TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 DirectFET
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 67 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 97 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 0.74 mm
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7779L2TRPBF SP001572314
单位重量 176.520 mg
库存: 4147
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 78.004099 | 78.00 |
10 | 65.505998 | 655.06 |
100 | 52.989206 | 5298.92 |
500 | 47.101267 | 23550.63 |
1000 | 40.330488 | 40330.49 |
2000 | 37.975536 | 75951.07 |
品牌其他型号
IRF7779L2TRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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