制造商型号: | GTVA107001EC-V1-R0 |
制造商: | CREE (科锐) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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CREE(科锐) GTVA107001EC-V1-R0
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GTVA107001EC-V1-R0 中文资料
数据手册PDF
GTVA107001EC-V1-R0 规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN-on-SiC
工作频率 960 MHz to 1.215 GHz
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 150 V
栅源极击穿电压 - 10 V to 2 V
漏极电流 10 A
输出功率 890 W
漏极/栅极电压(Max) -
栅源极阈值电压 - 3 V
规格参数
增益 18 dB
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 Screw Mount
产品类型 RF JFET Transistors
单位重量 8.198 g
库存: 50
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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GTVA107001EC-V1-R0品牌厂家:CREE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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