制造商型号： | C2M0080170P |
制造商： | CREE (科锐) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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CREE(科锐) C2M0080170P
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C2M0080170P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
C2M0080170P
制造商
CREE(科锐)
商品描述
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
包装
Tube
系列
C2M™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
125mOhm @ 28A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
120nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2250pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
277W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247-4
封装/外壳
TO-247-4
C2M0080170P 同类别型号
库存： 530
价格(含增值税)
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