制造商型号： | SISA34DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) SISA34DN-T1-GE3
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SISA34DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISA34DN-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SISA34DN-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.7mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+20V, -16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.795814 总价：￥6.80 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.795814 | 6.80 |
| 10 | 4.448168 | 44.48 |
| 25 | 3.850136 | 96.25 |
| 100 | 3.190325 | 319.03 |
| 250 | 2.879448 | 719.86 |
| 500 | 2.676563 | 1338.28 |
| 1000 | 2.514203 | 2514.20 |
品牌其他型号
SISA34DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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