制造商型号: | TK31V60W,LVQ |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TK31V60W,LVQ
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TK31V60W,LVQ 中文资料
数据手册PDF
TK31V60W,LVQ 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 165 ns
典型接通延迟时间 70 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥94.008161 总价:¥94.01 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 94.008161 | 94.01 |
品牌其他型号
TK31V60W,LVQ品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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