TK31V60W,LVQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 5Pin DFN

N-Channel 600V 30.8A Ta 240W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 5-Pin DFN

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

Win Source:
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

TK31V60W,LVQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 240 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK31V60W,LVQ引脚图与封装图

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