制造商型号： | SI4599DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4599DY-T1-GE3
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SI4599DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4599DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 5.8 A, 6.8 A
漏源电阻 35.5 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V, 1.4 V
栅极电荷 11.7 nC, 25 nC
耗散功率 3 W, 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 9 ns
正向跨导（Min） 14 S, 22 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4599DY-GE3
单位重量 187 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥13.43737 总价：￥13.44 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.43737 | 13.44 |
| 10 | 11.849318 | 118.49 |
| 100 | 9.083119 | 908.31 |
| 500 | 7.18017 | 3590.09 |
| 1000 | 5.744136 | 5744.14 |
品牌其他型号
SI4599DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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