制造商型号: | DMC2041UFDB-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMC2041UFDB-7
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DMC2041UFDB-7 中文资料
数据手册PDF
DMC2041UFDB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.7 A, 3.2 A
漏源电阻 23 mOhms, 59 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV, 1.4 V
栅极电荷 15 nC, 18 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.6 ns, 20.4 ns
上升时间 15.9 ns, 9.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 29.7 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns, 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 8740
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.467004 | 10.47 |
10 | 9.02156 | 90.22 |
100 | 6.244066 | 624.41 |
500 | 5.217054 | 2608.53 |
1000 | 4.440128 | 4440.13 |
品牌其他型号
DMC2041UFDB-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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