制造商型号： | DMC1028UFDB-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMC1028UFDB-7
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DMC1028UFDB-7 中文资料
数据手册PDF
DMC1028UFDB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V, 20 V
漏极电流 6 A, 3.4 A
漏源电阻 17 mOhms, 55 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 18.5 nC, 11.5 nC
耗散功率 1.36 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.7 ns, 12.7 ns
上升时间 9.4 ns, 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns, 20.8 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns, 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.166598 | 6499.79 |
| 6000 | 1.949938 | 11699.63 |
| 15000 | 1.805498 | 27082.47 |
| 30000 | 1.776611 | 53298.33 |
品牌其他型号
DMC1028UFDB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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