制造商型号： | BSD235CH6327XTSA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSD235CH6327XTSA1
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BSD235CH6327XTSA1 中文资料
数据手册PDF
BSD235CH6327XTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 950 mA, 530 mA
漏源电阻 266 mOhms, 745 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV, 1.2 V
栅极电荷 340 mC, 400 fC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.2 ns, 3.2 ns
正向跨导（Min） 700 mS, 2 S
上升时间 3.6 ns, 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.5 ns, 5.1 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns, 3.8 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSD235C H6327 SP000917610
单位重量 7.500 mg
BSD235CH6327XTSA1 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.985465 | 2956.39 |
| 6000 | 0.925734 | 5554.40 |
| 15000 | 0.866002 | 12990.03 |
| 30000 | 0.794324 | 23829.72 |
| 75000 | 0.764494 | 57337.05 |
品牌其他型号
BSD235CH6327XTSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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