制造商型号: | DMN2008LFU-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN2008LFU-7
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DMN2008LFU-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2008LFU-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 14.5 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 42.3 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 12 mg
库存: 9997
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.725646 | 7.73 |
10 | 6.716328 | 67.16 |
100 | 4.649095 | 464.91 |
500 | 3.885004 | 1942.50 |
1000 | 3.306451 | 3306.45 |
品牌其他型号
DMN2008LFU-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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