制造商型号： | 2N7002DW-7-F |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) 2N7002DW-7-F
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2N7002DW-7-F 中文资料
数据手册PDF
2N7002DW-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 70 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 80 mS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
2N7002DW-7-F 引脚图与封装图
2N7002DW-7-F引脚图
2N7002DW-7-F封装图
2N7002DW-7-F封装焊盘图
库存： 3358
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.345733 | 0.35 |
| 30 | 0.333379 | 10.00 |
| 100 | 0.321037 | 32.10 |
| 500 | 0.296341 | 148.17 |
| 1000 | 0.283999 | 284.00 |
品牌其他型号
2N7002DW-7-F品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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