制造商型号： | SISS32LDN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8S |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SISS32LDN-T1-GE3
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SISS32LDN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISS32LDN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 63 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 17.7 nC, 37.5 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 55 S
上升时间 6 ns, 61 ns
晶体管类型 N - Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.209427 | 14.21 |
| 10 | 12.689636 | 126.90 |
| 25 | 12.039709 | 300.99 |
| 100 | 9.029782 | 902.98 |
| 250 | 8.943784 | 2235.95 |
| 500 | 7.653815 | 3826.91 |
| 1000 | 6.23485 | 6234.85 |
品牌其他型号
SISS32LDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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